[19a-E201-1~7] 21.1 Joint Session K "Wide bandgap oxide semiconductor materials and devices"

△ [19a-E201-4] Effect of crystal structure on carrier generation in p-type Sn²⁺ complex oxides

〇(DC)Akane Samizo¹, Naoto Kikuchi^1,2, Yoshihiro Aiura², Keishi Nishio¹ (1.Tokyo univ. of Sci., 2.AIST)

Keywords:transparent semiconducting oxide, p-type semiconductor, carrier generation

新規p型透明導電性酸化物として、Sn₂Nb₂O₇とSnNb₂O₆に着目した。これらの酸化物はバンド計算から高正孔移動度が期待される一方で、正孔の導入が難しく、これまで半導体特性に関する報告はなかった。我々はアニールにより正孔導入に成功し、p型伝導を実現した。p型Sn₂Nb₂O₇とp型SnNb₂O₆ではキャリア生成効率が大きく異なることがわかった。本研究発表では、この2つの酸化物の構造欠陥量や結晶構造の比較からキャリア生成機構の違いを検討した結果を報告する。