[19a-E202-1~10] 15.4 III-V-group nitride crystals

[19a-E202-10] HFET photosensors using GaInN channel layer

〇Megumi Sakata¹, Ushida Saki¹, Motoaki Iwaya¹, Satoshi Kamiyama¹, Tetsuya Takeuchi^1,2 (1.Meijo Univ., 2.Nagoya Univ.Akasaki Research Center)

Keywords:semiconductor

可視光通信には、従来のSi-PDなどに比べて波長選択性が高く、高感度な光センサの実現が必要である。本研究ではGaInNチャネル層を用いたHFET型可視光センサにより着目した。従来のHFET型光センサのGaInNチャネル層のIn組成の増加により受光端はシフトし、450 nmにおいての受光感度は1.53×10^１ A/W、S/N比は2.50×10³と高感度になることを明らかとした。