[19a-E202-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

[19a-E202-10] GaInNチャネル層を用いたHFET型可視光光センサの長波長化

〇坂田 芽久美¹、牛田 彩希¹、岩谷 素顕¹、上山 智¹、竹内 哲也^1,2 (1.名城大学理工、2.名古屋大学赤﨑研究センター)

キーワード：半導体

可視光通信には、従来のSi-PDなどに比べて波長選択性が高く、高感度な光センサの実現が必要である。本研究ではGaInNチャネル層を用いたHFET型可視光センサにより着目した。従来のHFET型光センサのGaInNチャネル層のIn組成の増加により受光端はシフトし、450 nmにおいての受光感度は1.53×10^１ A/W、S/N比は2.50×10³と高感度になることを明らかとした。