[19a-E202-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

△ [19a-E202-7] 深紫外レーザにおける組成傾斜AlGaNクラッド層の検討

〇川瀬 雄太¹、池田 隼也¹、袴田 淳哉¹、林 貴文¹、岩山 章¹、岩谷 素顕¹、竹内 哲也¹、上山 智¹、赤﨑 勇^1,2 (1.名城大理工、2.名古屋大)

キーワード：窒化アルミニウム

Ⅲ族窒化物におけるMgを添加した高AlNモル分率・高正孔濃度を有したp型AlGaNは実現することが難しく、端面発光型紫外レーザの発振波長は326 nmにとどまっている。
本研究グループでも組成傾斜AlGaNを用いることによって、室温で高い正孔濃度が得られることや紫外LEDの高性能化に有用であることを報告してきた。本発表では、組成傾斜構造クラッド層のAlNモル分率を変更して作製した。