[19a-E202-1~10] 15.4 III-V-group nitride crystals

[19a-E202-8] Optimization of impurity profiles for reduction resistance of GaN tunnel junctions

〇(M2)Yasuto Akatsuka¹, Ryota Fuwa¹, Sho Iwayama¹, Tetsuya Takeuchi¹, Satoshi Kamiyama¹, Motoaki Iwaya¹, Isamu Akasaki^1,2 (1.Fac. Sci.&Eng. Meijo Univ., 2.Akasaki Research Center,Nagoya Univ.)

Keywords:tunnel junction

MOVPE法を用いた高InNモル分率組成傾斜GaInNトンネル接合が作製され、ITO電極と遜色ない抵抗が実現された。また、更なる低光吸収が期待できるGaNトンネル接合では、トンネル接合界面での酸化および除去工程により、比較的低抵抗なトンネル接合が実現されている。本研究では、トンネル接合中の不純物プロファイルの最適化により、MOVPE法による連続成長での低抵抗GaNトンネル接合の実現を目指した。