[19a-E202-1~10] 15.4 III-V族窒化物結晶

[19a-E202-8] GaNトンネル接合の低抵抗化に向けた不純物プロファイルの最適化

〇(M2)赤塚 泰斗¹、不破 綾太¹、岩山 章¹、竹内 哲也¹、上山 智¹、岩谷 素顕¹、赤﨑 勇^1,2 (1.名城大・理工、2.名古屋大・赤﨑記念研究センター)

キーワード：トンネル接合

MOVPE法を用いた高InNモル分率組成傾斜GaInNトンネル接合が作製され、ITO電極と遜色ない抵抗が実現された。また、更なる低光吸収が期待できるGaNトンネル接合では、トンネル接合界面での酸化および除去工程により、比較的低抵抗なトンネル接合が実現されている。本研究では、トンネル接合中の不純物プロファイルの最適化により、MOVPE法による連続成長での低抵抗GaNトンネル接合の実現を目指した。