2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.2 カーボン系薄膜

[19a-F206-1~12] 6.2 カーボン系薄膜

2018年3月19日(月) 09:00 〜 12:15 F206 (61-206)

岩崎 孝之(東工大)、川原田 洋(早大)

11:45 〜 12:00

[19a-F206-11] 電子線照射によるダイヤモンドナノ粒子中のNVセンター形成条件の最適化(2)

阿部 浩之1、小野田 忍1、武山 昭憲1、大島 武1 (1.量研高崎)

キーワード:ダイヤモンドナノ粒子、電子線照射、単一光子源

平均粒径250nmナノ粒子のダイヤモンドについて電子線照射によりNV センターの形成に着手した。ナノ粒子に照射や熱処理などの各プロセスにおける諸条件の最適化を図り、その量子状態(発光・スピン)を室温で計測・制御する技術を確立することを目的としている。本研究ではその技術確立の最適条件について調査分析した結果を報告する。