2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.2 カーボン系薄膜

[19a-F206-1~12] 6.2 カーボン系薄膜

2018年3月19日(月) 09:00 〜 12:15 F206 (61-206)

岩崎 孝之(東工大)、川原田 洋(早大)

10:00 〜 10:15

[19a-F206-5] 窒素終端ダイヤモンド中の浅いNVセンターを用いたNMR測定

〇(B)薗田 隆弘1、河合 空1、山野 颯1、加藤 かなみ1、Buendia Jorge1、蔭浦 泰資1、石井 邑1、福田 諒介1、岡田 拓真1、春山 盛善2,3、谷井 孝至1、山田 圭介2、小野田 忍2、加田 渉3、花泉 修3、Stacey Alastair4、寺地 徳之5、河野 省三7、磯谷 順一6、川原田 洋1,7 (1.早大理工、2.量研、3.群馬大、4.メルボルン大、5.NIMS、6.筑波大、7.早大材研)

キーワード:ダイヤモンド、窒素-空孔中心、量子センシング

ダイヤモンド中のNVセンターのナノスケールNMRへの応用に向けて、浅いNVセンターの負の電荷状態を安定させる手法の確立が課題となっている。我々はすでに、窒素ラジカル暴露によって窒素終端表面を形成し、浅いNVセンターの負の電荷状態が安定化すること及びコヒーレンス時間T2が酸素終端下のT2と遜色ないことを実証した。今回、窒素終端下の浅いNVセンターを用いて、基板表面上の1Hの核スピンシグナルの検出に成功した。