[19a-F214-1~11] 6.5 表面物理・真空

[19a-F214-8] 昇温脱離法によるInGaN表面上のCs層の解析

〇鹿島 将央¹、佐藤 大樹²、小泉 淳²、西谷 智博³、本田 善央⁴、天野 浩⁴、飯島 北斗¹、目黒 多加志¹ (1.東京理科大学、2.（株）Photo electron Soul、3.名大IAR、4.名大IMaSS)

キーワード：半導体フォトカソード、負の電子親和力、InGaN