10:45 AM - 11:00 AM
[19a-F310-5] Highly efficient InGaP/GaAs dual-junction solar cells grown by MBE
Keywords:MBE, InGaP, solar cells
MBE法を用いたGaAs微傾斜基板上InGaP/GaAs 2接合セルの高効率化を目的としたInGaP太陽電池の成長条件の検討を行った。InGaP 結晶は,従来の480 °C, 1.0 mm/hから510 °C, 1.5 mm/hの高温,高速条件で成長することによって自然超格子形成が抑制できる.2条件で作製した2接合セルの特性を比較したところ,高温,高速条件によってGaAsセルとの電流不整合が改善し,VOCが0.1 V向上することにより変換効率が26.5%から27.4%に向上した.