[19a-F310-1~8] 13.9 化合物太陽電池

[19a-F310-5] MBE法を用いたInGaP/GaAs 2接合太陽電池の高性能化

〇(M2)長門 優喜^1,2、大島 隆治²、菅谷 武芳²、岡野 好伸¹ (1.都市大、2.産総研)

キーワード：MBE、InGaP、太陽電池

MBE法を用いたGaAs微傾斜基板上InGaP/GaAs 2接合セルの高効率化を目的としたInGaP太陽電池の成長条件の検討を行った。InGaP 結晶は，従来の480 °C, 1.0 mm/hから510 °C, 1.5 mm/hの高温，高速条件で成長することによって自然超格子形成が抑制できる．2条件で作製した2接合セルの特性を比較したところ，高温，高速条件によってGaAsセルとの電流不整合が改善し，V_OCが0.1 V向上することにより変換効率が26.5%から27.4%に向上した．