[19a-F310-1~8] 13.9 化合物太陽電池

[19a-F310-8] 常温接合によるGaAs/SiとGaN/GaAsの評価

〇(M1)仲村 友希¹、安島 由朗¹、村上 健太¹、寺本 英央¹、定免 良太¹、邢 志伟²、代 盼²、陆 书龙²、内田 史朗¹ (1.千葉工大、2.蘇州ナノテク研)

キーワード：常温接合、GaAs/Si、GaN/GaAs

人工光合成用光半導体セルの光起電流の増加を目的として，格子定数の異なる材料を積層させたInGaN/InGaP/GaAs，GaInP/GaAs/Si等の多接合半導体セル構造が有効であると考えられる．本実験では，イオンプラズマによる常温接合を用いて，p-GaAs/n-Si，p-GaAs/ITO/n-Si，そしてn-GaN/p-GaAsの試料を作製し，接合評価を行った．実験結果は，p-GaAs/n-Siの界面抵抗が2.8×10^-1 Ω・cm²，GaN/GaAsの界面抵抗2.7 Ω・cm²であった．p-GaAs/ITO/n-Siはショットキー接触となった．