[19a-G203-1~9] 13.5 Semiconductor devices and related technologies

[19a-G203-4] Fabrication and characterization of quantum dots on a boron-heavily-doped silicon-on-insulator substrate

〇Seiya Mizoguchi¹, Naoki Shimatani¹, Mizuki Kobayashi¹, Takaomi Makino¹, Yu Yamaoka¹, Tetsuo Kodera¹ (1.Tokyo Tech.)

Keywords:quantum dot

本研究では、高濃度にボロンドーピングしたSOI基板を用いた二重量子ドット（DQD）とDQD内の電荷状態を観測するための電荷センサー（CS）を作製し、DQDの電荷輸送特性の評価を行った。その結果、CSのクーロンダイヤモンドの観測、DQD内の電荷状態遷移の電荷センシングに成功した。続いてこのデバイスに対して高周波反射測定を行い、デバイスの寄生キャパシタンスを0.12pFと見積もった。