[19a-G203-1~9] 13.5 デバイス／集積化技術

[19a-G203-4] 高濃度にボロンドーピングしたSOI基板を用いた量子ドットの作製と評価

〇溝口 聖也¹、島谷 直樹¹、小林 瑞基¹、牧野 貴臣¹、山岡 裕¹、小寺 哲夫¹ (1.東工大)

キーワード：量子ドット

本研究では、高濃度にボロンドーピングしたSOI基板を用いた二重量子ドット（DQD）とDQD内の電荷状態を観測するための電荷センサー（CS）を作製し、DQDの電荷輸送特性の評価を行った。その結果、CSのクーロンダイヤモンドの観測、DQD内の電荷状態遷移の電荷センシングに成功した。続いてこのデバイスに対して高周波反射測定を行い、デバイスの寄生キャパシタンスを0.12pFと見積もった。