[19a-P4-1~8] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[19a-P4-5] フォトクロミズム転移するZnO薄膜のXAFS解析

〇宇山 裕貴¹、梶山 博司¹、久保山 真²、内野 喜一郎²、井上 修平³、高田 啓二⁴ (1.徳島文理大理工、2.九大総理工、3.広島大学、4.関西大工)

キーワード：ZnO、プラズマCVD、フォトクロミズム転移

VHFプラズマCVD法で合成したZnO薄膜は、紫外線照射によりフォトクロミズム(PC)転移する。このPC転移を利用した全固体型二次電池の開発が進められている。本研究では、PC転移に必要な結晶要件を特定するために、XAFS解析により局所構造を調べた。その結果、PC転移するZnO薄膜は、原子間距離とデバイワラー因子が、高純度の標準試料に比べて異なっていることが明らかになった。