[19a-P4-1~8] 15.7 Crystal characterization, impurities and crystal defects

[19a-P4-7] Characterization of Electrical Properties of InN Epilayer using THz Ellipsometry 2

〇Kenta Morino¹, Takashi Fujii¹, Shinichiro Mouri¹, Tsutomu Araki¹, Yasushi Nanishi¹ (1.Ritsumeikan Univ.)

Keywords:InN, THz-TDSE, Hall effect measurement

窒化インジウム（InN）は窒化物半導体の中で最も小さいバンドギャップ（0.65 eV），大きな移動度を有するため，高速高周波デバイスへの応用が期待される．しかし，InN薄膜表面や基板界面には電荷蓄積層が存在することが報告されており，InN薄膜の電気特性はその評価や制御が未だ困難である．今回は，膜厚の異なるInNの電気特性について，THz-TDSEを用いて検討を行ったので報告する．