[19a-P4-1~8] 15.7 結晶評価，不純物・結晶欠陥

[19a-P4-7] THzエリプソメトリーによるInN薄膜の電気特性評価2

〇森野 健太¹、藤井 高志¹、毛利 真一郎¹、荒木 努¹、名西 憓之¹ (1.立命館大理工)

キーワード：窒化インジウム、時間領域分光エリプソメトリー、ホール効果測定

窒化インジウム（InN）は窒化物半導体の中で最も小さいバンドギャップ（0.65 eV），大きな移動度を有するため，高速高周波デバイスへの応用が期待される．しかし，InN薄膜表面や基板界面には電荷蓄積層が存在することが報告されており，InN薄膜の電気特性はその評価や制御が未だ困難である．今回は，膜厚の異なるInNの電気特性について，THz-TDSEを用いて検討を行ったので報告する．