[19a-P5-1~6] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

[19a-P5-4] Ge/Si量子ドット上へのSi選択成長と室温PL特性

〇藤森 俊太郎¹、山田 健太郎¹、永井 僚¹、池田 弥央¹、牧原 克典¹、宮崎 誠一¹ (1.名大院工)

キーワード：シリコンドット