[19a-P5-1~6] 16.1 Fundamental properties, evaluation, process and devices in disordered materials

[19a-P5-5] Influence of staring point thickness on the crystallization of a-Si films by flash lamp annealing

〇Daiki Sato¹, Keisuke Ohdaira¹ (1.JAIST)

Keywords:flash lamp annealing, Silicon, crystallization

a-Si膜のFLAによる結晶化の起点形成における、厚膜部の膜厚の影響について調査した。スパッタ法により基板端部に部分的に種々の膜厚のa-Si膜を堆積した後、Cat-CVD法を用いて基板全面にa-Si:H膜を堆積し、FLAを行った。膜厚が大きい試料において、より低いパルス光強度から結晶Si由来のラマンピークを示し始めた。よって、基板端部のスパッタ法により製膜した膜は、厚い方がCat-CVD膜の結晶化の起点としての効果が高いと考えられる。