[19a-P5-1~6] 16.1 Fundamental properties, evaluation, process and devices in disordered materials

[19a-P5-6] Effect of substrate temperature during the electron-beam evaporation of amorphous Si films on their crystallization by FLA on textured glass substrates

〇(M1C)Keisuke Kurata¹, Keisuke Ohdaira¹ (1.JAIST)

Keywords:Flash lamp annealing, silicon, Crystallization

RIEを用いて形成したテクスチャガラス基板上にEB蒸着を用いてa-Siを堆積した試料に対しFLAで結晶化を行った際の、製膜時の基板温度の影響について調査した。EB蒸着温度の上昇により、結晶化に必要な照射強度が上昇する傾向が確認された。また、RIE処理時間3時間、EB蒸着温度500 ºCの前駆体a-Si膜のラマンスペクトルにおいて、結晶相のピークが見られることから、一部が結晶化している前駆体膜は、結晶化に要する照射強度が増大することが分かった。