[19a-P5-1~6] 16.1 基礎物性・評価・プロセス・デバイス

[19a-P5-6] テクスチャガラス基板上EB蒸着非晶質Si膜のFLAでの結晶化における製膜時の基板温度の影響

〇(M1C)倉田 啓佑¹、大平 圭介¹ (1.北陸先端大)

キーワード：フラッシュランプアニール、シリコン、結晶化

RIEを用いて形成したテクスチャガラス基板上にEB蒸着を用いてa-Siを堆積した試料に対しFLAで結晶化を行った際の、製膜時の基板温度の影響について調査した。EB蒸着温度の上昇により、結晶化に必要な照射強度が上昇する傾向が確認された。また、RIE処理時間3時間、EB蒸着温度500 ºCの前駆体a-Si膜のラマンスペクトルにおいて、結晶相のピークが見られることから、一部が結晶化している前駆体膜は、結晶化に要する照射強度が増大することが分かった。