[19a-P6-1~79] 17 Nanocarbon Technology（Poster）

[19a-P6-35] Growth of epitaxial alminum carbide thin film on SiC substrate and subsequent graphitization

〇(D)Keita Matsuda¹, Fukui Mai¹, Wataru Norimatsu¹, Michiko Kusunoki² (1.Nagoya Univ., 2.Nagoya Univ. IMaSS)

Keywords:graphene, thermal decomposition, carbide

グラフェンの電子物性変調手法の一つとして、異元素ドーピングがある。これまでに、我々の研究室ではB₄Cの熱分解によってホウ素ドープグラフェンが成長することを報告しており、様々な炭化物の熱分解によって多様なドープグラフェンの形成が可能であると期待している。そこで本研究では、SiC基板上にエピタキシャル炭化アルミニウム（epi-Al₄C₃）薄膜を成長させ、その熱分解によって作製したグラフェンの構造や特性について報告する。