[19a-P6-1~79] 17 Nanocarbon Technology（Poster）

[19a-P6-52] Chemical Etching of Si Substrates Assisted by Graphene Oxide or Reduced Graphene Oxide

〇(M1)Ryuko Ishizuka¹, Toru Utsunomiya¹, Takashi Ichii¹, Hiroyuki Sugimura¹ (1.Kyoto Univ.)

Keywords:graphene, graphene oxide, etching

Modified Hummers法によって作製した酸化グラフェン（GO）を，水素終端化したn型Si（111）基板上に担持した．この基板に真空チャンバー内で真空紫外（VUV）光を照射して酸化グラフェン還元体（rGO）とした後，エッチング液に浸漬した．得られた表面形状をAFMにより観察した結果，GO，rGO共にSi基板に沈み込むこととrGOの方がより深く沈み込むことが示唆された．