[19a-P6-1~79] 17 Nanocarbon Technology（Poster）

[19a-P6-64] Vapor deposition of single-layer MoS₂ and WS₂ using NaCl as an assist reagent.

〇Reita Igarashi¹, Hajime Shirai¹, Keiji Ueno¹ (1.Saitama Univ.)

Keywords:layered material, chemical vapor deposition, physical vapor deposition

MoS₂やWS₂等の遷移金属ダイカルコゲナイドは、バンドギャップを有した層状物質であり、次世代デバイスにおけるチャネル材料への応用が期待されている。大面積薄膜を得るには化学気相成長(CVD)法や物理気相成長(PVD)がよく用いられるが、再現性良く高品質な大面積単結晶グレインを得るのは容易ではない。本研究では、塩化ナトリウムをアシスト剤に用いて薄膜成長を行い、得られた単層膜に対する評価を行った。