[19p-B303-1~18] 11.4 アナログ応用および関連技術

[19p-B303-6] 原子層堆積法で成膜したNbN/AlN/NbN多層膜の結晶性評価

〇浮辺 雅宏¹、藤井 剛¹、志岐 成友¹、大久保 雅隆¹ (1.産業技術総合研究所)

キーワード：超伝導トンネル接合検出器、NbN/AlN/NbN、質量分析

静電型イオン蓄積リングでの中性フラグメント測定に適用することを目指し、2K以上の温度で動作可能な高性能NbN/AlN/NbN STJ（NbN-STJ）アレイ粒子検出器の開発を進めている。これまで膜厚50nmのNbN膜で13Kという、スパッタ法で成膜したNbN膜と同程度、ALD製の膜としてはこれまでで最高のT_Cを得る事に成功した。一般的に超伝導薄膜は、膜厚を厚くする事によりTcが上昇する、そこで、16K 以上のTcを実現するためNbNの膜厚を100 nmとしたNbN/AlN/NbN多層膜をALDで成膜、その結晶性及びTcを評価した。