[19p-B303-1~18] 11.4 アナログ応用および関連技術

[19p-B303-9] MoN超伝導単一光子検出器の作製

切金 公人¹、深尾 健太郎¹、境 健斗¹、大西 広²、中野 和佳子²、酒井 大輔¹、〇柴田 浩行¹ (1.北見工大、2.北大電子研)

キーワード：超伝導体、単一光子検出器、ナノストリップ

窒化モリブデン（MoN）を用いた超伝導単一光子検出器を作製した。MoNはNbNより電子－格子緩和時間が１桁以上大きいため、より高い検出効率が期待できる。厚さ7nm、幅150nmのメアンダ細線からなるデバイスの検出効率は、波長406nmで24%、1310nmで17%となった。高バイアス域では検出効率は飽和しており、内部検出効率は100%である。これらの結果からMoNはSSPD開発に有望な材料であることが判明した。