2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

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[19p-C102-1~9] 進展めざましい電子源と最近の新たなアプリケーション

2018年3月19日(月) 13:45 〜 17:45 C102 (52-102)

後藤 康仁(京大)、長尾 昌善(産総研)

17:30 〜 17:45

[19p-C102-9] フィールドエミッタアレイと光電変換膜を用いた撮像素子の耐放射線性能

後藤 康仁1、森藤 瑛之1、長尾 昌善2、増澤 智昭3、根尾 陽一郎3、三村 秀典3、岡本 保4、猪狩 朋也4、秋吉 優史5、佐藤 信浩1、高木 郁二1 (1.京大、2.産総研、3.静岡大、4.木更津高専、5.大阪府大)

キーワード:フィールドエミッタアレイ、撮像素子、放射線

フィールドエミッタアレイとCdTe系光電変換膜を用いた真空式撮像素子の耐放射線性能を調べた。フィールドエミッタアレイ、CdTe系光電変換膜はいずれも1.2 MGyを超えるガンマ線照射を行った後でも特性の劣化がほとんど見られないことが明らかになった。これらを組み合わせた模擬撮像管を試作し1 MGyのガンマ線照射前後で光信号の検出を行ったところ、問題なく光信号を検出した。1.2 kGy/hの高エネルギーエックス線照射下であってもフィールドエミッタアレイは問題なく動作した。