[19p-C103-1~8] 先端3Ｄ原子イメージングが拓く新しい材料・デバイス技術

[19p-C103-5] 蛍光X線ホログラフィー法によるInGaN中Inの局所構造解析

〇川村 朋晃¹、林 好一² (1.日亜化学、2.名工大)

キーワード：X線ホログラフィー、窒化物半導体、局所構造

先端3Ｄ原子イメージング応用の一例として産業上重要な白色LED用InGaN材料に適用した結果を示す。InGaN半導体は高欠陥密度にも係わらず高い発光効率を示し、その一因としてInの偏析が指摘されている。今回InGaN薄膜に適用したところ数ユニットセル毎に安定なGa/Inサイトが存在することが明らかとなり、従来手法で観測困難な領域の構造解析に本手法が有効であることを示した。