[19p-C104-1~19] 6.1 強誘電体薄膜

[19p-C104-17] 反強誘電体PbZrO₃薄膜の分極反転挙動とメモリ効果

〇真岩 宏司¹ (1.湘南工大工)

キーワード：反強誘電体、メモリ

反強誘電体と呼ばれる物質群では電場の変化に対してダブルヒステリシスを示す分極－電場（P-E）曲線を描く。片方の極性に二つの状態があることからプラスマイナスの双極動作させることで4つの状態を取るメモリが一つの素子で実現することが提案されている。本研究では反強誘電体PbZrO₃薄膜の分極反転挙動とメモリ効果について検討する。得られたPbZrO₃薄膜はダブルヒステリシス曲線を描き、データ保持特性では4つの状態を取るメモリ動作が可能であることを確認した。