2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

6 薄膜・表面 » 6.1 強誘電体薄膜

[19p-C104-1~19] 6.1 強誘電体薄膜

2018年3月19日(月) 13:15 〜 18:30 C104 (52-104)

山田 智明(名大)、平永 良臣(東北大)、三村 憲一(産総研)

18:00 〜 18:15

[19p-C104-18] ミストCVD法によるε-Ga2O3薄膜の結晶成長とその電気的特性評価

田原 大祐1、西中 浩之1、野田 実1、吉本 昌広1 (1.京工繊大)

キーワード:酸化ガリウム、強誘電体、準安定相

主にパワーデバイス応用分野で注目されている酸化ガリウム(Ga2O3 )は結晶多形であり、α, β, γ, δ, ε相が知られている。本研究では、GaNやAlNなどと同じ六方晶系の結晶構造を有する準安定相ε-Ga2O3 に注目している。2013年にc軸反転対称性の欠如した結晶構造を有することが明らかになったこの新材料について、我々はミストCVD法による結晶成長を試み、その結晶学的・電気的特性について評価した。