[19p-C104-1~19] 6.1 強誘電体薄膜

[19p-C104-19] YbFe₂O₄薄膜の化学組成が電気的・磁気的特性に及ぼす影響

〇田中 淳平¹、三浦 光平¹、桐谷 乃輔¹、吉村 武¹、芦田 淳¹、藤村 紀文¹ (1.阪府大工)

キーワード：RFe2O4、電荷秩序、強相関関係物質

RFe₂O₄(R:希土類元素)は、結晶内に同数のFe²⁺とFe³⁺が三角格子状に存在しているため電荷のフラストレーションが生じ、電子密度に極性を有する電荷秩序構造が形成する電子強誘電体である 。我々はこれまでにパルスレーザー堆積(PLD)法を用いてYbFe₂O₄エピタキシャル薄膜の作製に成功し、その電気的特性を報告してきた。それらをエネルギー分散型X線分析によって組成分析した結果、エピタキシャル薄膜であるにもかかわらずFe/Yb＝1.2~1.8とFe欠損状態であった。本研究では、YbFe₂O₄エピタキシャル薄膜において、Fe/Yb組成の変化が電気的、磁気的特性に与える影響について報告する