[19p-C104-1~19] 6.1 Ferroelectric thin films

[19p-C104-2] Fabrication of epitaxial CeO₂-ZrO₂ thin films and their crystal structure analysis

〇Takahisa Shiraishi¹, Sujin Choi¹, Shimizu Takao², Kiguchi Takanori¹, Funakubo Hiroshi², Konno Toyohiko¹ (1.Tohoku Univ., 2.Tokyo Tech.)

Keywords:ZrO2 thin films, Metastable phase

近年、膜厚数十nm以下の蛍石型酸化物膜に種々の元素を置換することで準安定なOrthorhombic相が発現し、極性を示すことが報告された。特に、蛍石型酸化物同士の固溶体であるHfO₂-ZrO₂膜は優れた強誘電性および反強誘電性を示すことから、新奇極性材料として広く研究されている。そこで、触媒やRRAMへの応用が検討されているCeO₂-ZrO₂膜においてもOrthorhombic相の発現が可能であれば、極性材料としての応用が期待できる。本研究は、Orthorhombic相発現の可能性を検討するために、エピタキシャル成長したCeO₂-ZrO₂膜を作製し、固溶量に対する結晶構造変化を評価したので報告する。