[19p-C202-1~17] 17.3 Layered materials

△ [19p-C202-14] Band to band tunneling in TypeⅢ p⁺-WSe₂/ WSe₂ hetero-structure

〇Shunyou Ka¹, Nan Fang¹, Keigo Nakamura¹, Keiji Ueno², Takashi Taniguchi³, Kenji Watanabe³, Kosuke Nagashio¹ (1.Tokyo Univ., 2.Saitama Univ., 3.NIMS)

Keywords:two dimensional layered materials, tunnel field-effect transistor

我々は，オゾン酸化により形成したWO_x/p⁺-WSe₂をPDMSによる2回転写によりWO_x側をh-BN上に転写することで大気安定性に優れたp⁺-WSe₂を形成できることを見出した. 今回，このp⁺-WSe₂をsourceとして用いたp⁺-WSe₂/WSe₂ ヘテロ構造において，Type III型の負性微分抵抗(NDR trend)及びBTBTを計測したので報告する．