2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

講演情報

一般セッション(口頭講演)

17 ナノカーボン » 17.3 層状物質

[19p-C202-1~17] 17.3 層状物質

2018年3月19日(月) 13:45 〜 18:30 C202 (52-202)

神田 晶申(筑波大)、大野 恭秀(徳島大)

15:45 〜 16:00

[19p-C202-8] MoS2薄膜を用いた電気二重層トランジスタのESR分光研究

常友 菜穂1、井口 翔平1、ウォン ユサン1、ホ シネ2,3、ジョン イェスル2、若山 裕2,3、丸本 一弘1,4 (1.筑波大数物、2.物材研国際ナノ、3.九大院工、4.筑波大エネ物質科学セ)

キーワード:MoS2、電子スピン共鳴、トランジスタ

遷移金属カルコゲナイド(TMDs)はグラフェンと同様な2次元構造を持ち、グラフェンにはないバンドギャップを単層でも持つことから注目を集めている。TMDsの一つであるMoS2を用いた電気二重層トランジスタ(EDLT)は、高性能のn型動作を示すことが知られている。しかし、その伝導機構について微視的な研究は行われていない。本研究では、MoS2薄膜を用いたEDLTを作製し、電界誘起ESR法を用いて微視的な観点から伝導機構の研究を行った。