[19p-C302-1~18] 13.7 Compound and power electron devices and process technology

[19p-C302-15] Study on effect of trap lifetime to pulse response of GaN HEMT by TCAD

Kousuke Ajiro¹, 〇Toshiyuki Oishi¹ (1.Saga Univ.)

Keywords:GaN, Power devices

GaN HEMTのパルス応答特性にGaNトラップが与える影響をデバイスシミュレーションを使って検討した．
その結果，時定数が遅いトラップが存在しても，高周波パルスに影響を与えないことがわかった．これは，高周波パルスではイオン化したトラップ濃度が変化せず，パルス波形を劣化させないためである．