[19p-D101-1~11] 太陽電池分野で活躍する女性達

[19p-D101-5] ガス加熱トライオードプラズマCVD法によるSi表面パシベーション

〇新倉 ちさと¹、宮島 晋介² (1.物材機構、2.東工大工学院)

キーワード：パシベーション、ヘテロ接合太陽電池、シリコン

本研究では、低コスト・高効率が期待される薄型結晶Si太陽電池に要求されるパシベーション技術の高度化を目的とし、SiH₃ラジカルの選択輸送、プラズマダメージレス、ガス加熱効果を特徴とするガス加熱トライオードプラズマCVD法による水素化アモルファスSiパシベーション膜作製を、初めて行った。基板ホルダ温度100℃の低温条件においても低い表面再結合速度が得られ、手法の有効性が示唆された。