[19p-D103-1~17] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[19p-D103-1] [講演奨励賞受賞記念講演] 4H-SiC PiNダイオードの順方向通電劣化における積層欠陥拡大起源となる基底面転位の構造解析

〇林 将平^1,2、山下 任^1,3、先崎 純寿¹、宮里 真樹^1,4、宮島 將昭^1,4、加藤 智久¹、米澤 喜幸¹、児島 一聡¹、奥村 元¹ (1.産総研、2.東レリサーチセンター、3.昭和電工、4.富士電機)

キーワード：SiC、基底面転位、積層欠陥

4H-SiCバイポーラデバイスの順方向通電劣化について、シングルショックレー型積層欠陥(1SSF)の拡大起源となる基底面転位(BPD)の構造を詳細に解析した。直流電流密度600Acm^-2の条件下においては、1SSFが拡大したBPDの多くはらせん型であり、30°Siコアの部分転位が移動していることが明らかになった。また、1SSF拡大しなかったBPDは、貫通刃状転位転換位置がエピ/基板界面から基板側深い位置に形成されていることが分かった。