[19p-D103-1~17] 15.6 Group IV Compound Semiconductors (SiC)

△ [19p-D103-13] Evaluation of lifetime for SiC-PiN diode using OCVD

〇Kou Amano¹, Munetaka Noguchi², Hiroshi Watanabe², Mutsuko Hatano¹, Tetsuo Kodera¹ (1.Toko Univ., 2.Mitsubishi Electric Corp.)

Keywords:PiN-diode, SiC, Power device

バイポーラデバイスにおいて、損失やスイッチング速度などに関わってくるキャリア寿命の向上は課題の一つである。本研究はSiC-PiNダイオードの実効的なキャリア寿命を評価するためにOCVD測定を実施した。OCVD法での常温のキャリア寿命は0.11 μsという結果が得られ、μ-PCD法で得られたキャリア寿命は1.04 μsと異なる。その要因としては、p注入により生じたバルク欠陥によるキャリア寿命の低下が想定される。