[19p-D103-1~17] 15.6 IV族系化合物（SiC）

[19p-D103-15] 4H-SiCエピタキシャル成長膜キャリアライフタイム温度特性の検討

〇櫛部 光弘¹、宮坂 晶^2,3、西尾 譲司¹、太田 千春¹、飯島 良介¹、児島 一聡³、加藤 智久³、奥村 元³ (1.(株)東芝、2.昭和電工(株)、3.（国）産業技術総合研究所)

キーワード：SiC、キャリア寿命、温度依存性

材料物性値としての4H-SiCのキャリアライフタイムの温度依存性を評価するために、温度を変えながらキャリアライフタイムの膜厚依存性を測定した。高温になるほど測定されたキャリアライフタイムと材料物性値としてのキャリアライフタイムの差が大きくなることが確認できた。