[19p-E202-1~8] Materials Science and Advanced Electronics Created by Singularity of Nitride Semiconductors: How far can we control the defects? Advanced characterization and functional exploration

[19p-E202-7] Electron Microscpic Study on Multiscale Defects in Wide Gap Materials

〇Takanori Kiguchi¹, Takahisa Shiraishi¹, Toyohiko J. Konno¹, Tomoyuki Tanikawa¹ (1.Tohoku Univ.)

Keywords:galium nitride, transmission electron microscopy, lattice defect

HAADF/LAADF/ABF-STEM、EELS、超高圧TEMを活用し、電子・光学デバイスとして最も重要な材料の１つである窒化物などワイドギャップ材料の界面構造、極性構造、積層欠陥、貫通転位、量子井戸構造といったマルチスケールな特異構造について、結晶構造-局所弾性場-局所電子状態といった視点から解析して結果について紹介する。