[19p-E202-1~8] 窒化物半導体特異構造の科学　～格子欠陥はどこまで制御できるのか：先端評価と機能探索～

[19p-E202-7] 電子顕微鏡によるワイドギャップ材料のマルチスケール欠陥評価

〇木口 賢紀¹、白石 貴久¹、今野 豊彦¹、谷川 智之¹ (1.東北大金研)

キーワード：GaN、透過電子顕微鏡、格子欠陥

HAADF/LAADF/ABF-STEM、EELS、超高圧TEMを活用し、電子・光学デバイスとして最も重要な材料の１つである窒化物などワイドギャップ材料の界面構造、極性構造、積層欠陥、貫通転位、量子井戸構造といったマルチスケールな特異構造について、結晶構造-局所弾性場-局所電子状態といった視点から解析して結果について紹介する。