[19p-F202-1~16] 13.2 Exploratory Materials, Physical Properties, Devices

△ [19p-F202-10] Preparation of Sr-Si film by RF magnetron sputtering method

〇(B)Kodai Aoyama¹, Takao Shimizu¹, Hideto Kuramochi², Masami Mesuda², Ryo Akiike², Yoshisato Kimura¹, Hiroshi Funakubo¹ (1.Tokyo Tech., 2.Tosoh)

Keywords:SrSi2

SrSi2(α相)のバルクの研究では、高いパワーファクターをもつ熱電材料であることが報告されている。一方膜の研究では、Si基板上に作製したもののみが報告されており、膜の熱電特性を測る際に基板の寄与が切り離せず、絶縁体基板上での作製が望まれる。今回、絶縁体のAl2O3基板上の作製に成功し、成膜温度600℃では、近年報告されたCaSi2型準安定相のSrSi2が、700℃では、SrSi2(α相)と温度によって結晶相が異なることを初めて見出した。