[19p-F202-1~16] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[19p-F202-12] シンクロトロン光照射によるRu/SiO_x界面でのRuシリサイドの形成

〇市川 修平¹、古川 大希²、佐藤 和久^1,2、今村 真幸³、高橋 和敏³、保田 英洋^1,2 (1.阪大 電顕センター、2.阪大院工、3.佐賀大)

キーワード：シリサイド半導体、シンクロトロン光