2018年第65回応用物理学会春季学術講演会

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一般セッション(口頭講演)

13 半導体 » 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[19p-F202-1~16] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

2018年3月19日(月) 13:45 〜 18:15 F202 (61-202)

末益 崇(筑波大)、山口 憲司(量研機構)、原 康祐(山梨大)

17:30 〜 17:45

[19p-F202-14] ReSi2-xの結晶構造に関するエネルギー論的考察と電子構造の再考

今井 庸二1、山本 淳1 (1.産業技術総合研究所)

キーワード:ReSi2-x、電子構造、電子エネルギー

含欠陥ジシリサイドReSi2-xの複数の結晶構造モデルを評価した。Haradaらによって提案されたモデル 【Phil. Mag. 91(2011)3108-27】が有力であると結論した。このモデルに基づく 電子状態密度は、明確なエネルギーバンドギャップを示し、フェルミ準位はちょうどその中に位置したが、計算されたバンド構造は、価電子帯と電導帯のわずかな重なりを有し、完全な半導体ではない。Si空孔の無秩序配列によるアンダーソン絶縁の可能性もあることが議論された。