[19p-F202-1~16] 13.2 探索的材料物性・基礎物性

[19p-F202-14] ReSi_2-xの結晶構造に関するエネルギー論的考察と電子構造の再考

〇今井 庸二¹、山本 淳¹ (1.産業技術総合研究所)

キーワード：ReSi2-x、電子構造、電子エネルギー

含欠陥ジシリサイドReSi_2-xの複数の結晶構造モデルを評価した。Haradaらによって提案されたモデル 【Phil. Mag. 91（2011）3108-27】が有力であると結論した。このモデルに基づく 電子状態密度は、明確なエネルギーバンドギャップを示し、フェルミ準位はちょうどその中に位置したが、計算されたバンド構造は、価電子帯と電導帯のわずかな重なりを有し、完全な半導体ではない。Si空孔の無秩序配列によるアンダーソン絶縁の可能性もあることが議論された。