[19p-F206-1~10] 6.2 Carbon-based thin films

[19p-F206-8] Crystal evaluations of graphitic carbon nitride film by chemical vapor deposition

〇Maito Kosaka¹, Ryo Suzuki¹, Noriyuki Urakami^1,2, Yoshio Hashimoto^1,2 (1.Shinshu Univ. Faculty of engineering, 2.Shinshu Univ. Inst. of Carbon Science and Technology)

Keywords:graphitic carbon nitride

グラファイト状窒化炭素(g-C₃N₄)はバンドギャップエネルギーが約2.7eVの層状炭素系化合物半導体であり、豊富な資源を生かした環境に優しい材料として期待されている。g-C₃N₄は一般的に粉末状で用いられているが、膜状で作製することにより新たな電子素子材料として有望である。本報告では、電子素子に一般的に用いられている基板上にg-C₃N₄膜を形成しその性質を評価し、結果としてすべての基板上でc軸配向した単結晶g-C₃N₄膜の作製に成功した。