[19p-F206-1~10] 6.2 カーボン系薄膜

[19p-F206-8] 化学気相堆積法により作製したグラファイト状窒化炭素膜の結晶評価

〇小坂 舞人¹、鈴木 凌¹、浦上 法之^1,2、橋本 佳男^1,2 (1.信州大学工学部、2.信大カーボン研)

キーワード：グラファイト状窒化炭素

グラファイト状窒化炭素(g-C₃N₄)はバンドギャップエネルギーが約2.7eVの層状炭素系化合物半導体であり、豊富な資源を生かした環境に優しい材料として期待されている。g-C₃N₄は一般的に粉末状で用いられているが、膜状で作製することにより新たな電子素子材料として有望である。本報告では、電子素子に一般的に用いられている基板上にg-C₃N₄膜を形成しその性質を評価し、結果としてすべての基板上でc軸配向した単結晶g-C₃N₄膜の作製に成功した。