[19p-P10-1~6] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[19p-P10-3] (110)面歪みSi薄膜の臨界膜厚

〇有元 圭介¹、各川 敦史¹、山田 祟峰¹、原 康祐¹、山中 淳二¹、中川 清和¹ (1.山梨大クリスタル研)

キーワード：歪みSi

(110)面を表面とする歪みSi薄膜は、高正孔移動度を有するため高性能電子デバイス用材料として有力である。歪みSi層の膜厚を増やし、波動関数のSiGe層へのしみ出しを低減することで、トランジスタにおける更なる高移動度化と高On/Off比を実現できると考えられる。本研究では「歪みSi/ 均一組成SiGe/組成傾斜SiGe/Si(110)基板」構造における歪みSi層の臨界膜厚を調べた。