[19p-P10-1~6] 15.5 IV族結晶，IV-IV族混晶

[19p-P10-6] MBEとALDによるAl₂O₃/歪みGeチャネル構造の形成と電気特性評価

〇(M2)佐藤 慶次郎¹、繁澤 えり子¹、岩永 洋斗¹、マクシム ミロノフ²、澤野 憲太郎¹ (1.都市大総研、2.ウォーリック大学)

キーワード：歪みGeMOSFET