[19p-P11-1~31] 21.1 合同セッションＫ 「ワイドギャップ酸化物半導体材料・デバイス」

[19p-P11-13] GaNテンプレート上ε-Ga₂O₃薄膜のドライエッチング

〇宮内 信宇¹、中村 昌幸²、小林 貴之²、西中 浩之¹、田原 大祐¹、森本 尚太¹、本山 慎一²、吉本 昌広¹ (1.京都工繊大、2.サムコ株式会社)

キーワード：酸化ガリウム、ドライエッチング